-
1 импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
PИ
PM
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Impulsverlustleistung
E. Peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crète
Ри
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
2 максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
Pи max
PM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung
E. Maximum peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crête maximale
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
См. также в других словарях:
ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора — Обозначение PИ PM [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN peak power dissipation DE Impulsverlustleistung FR puissance dissipée de crête … Справочник технического переводчика
максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора — Обозначение Pи max PM max Примечание Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность … Справочник технического переводчика
Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора — 63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора D. Impulsverlustleistung E. Peak power dissipation F. Puissance dissipée de crète Ри Источник: ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора — 80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung E. Maximum peak power dissipation F. Puissance dissipée de crête maximale * В схеме с общей базой или общим эмиттером… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
MESURE - Mesures électriques et électroniques — Les mesures électriques et électroniques, grâce à l’apport des semiconducteurs, des méthodes numériques et des systèmes asservis, apparaissent à l’heure actuelle comme une technique clé dans le domaine des mesures en général. L’existence de… … Encyclopédie Universelle
Tube à ondes progressives — Le tube à ondes progressives (traveling wave tube) est un tube à vide utilisé en hyperfréquences pour réaliser des amplificateurs de faible, moyenne ou forte puissance. Il permet de réaliser des amplificateurs à bande large et à très faible bruit … Wikipédia en Français
Lampe de TSF — Tube électronique Un tube électronique (vacuum tube en américain ou thermionic valve en anglais), également appelé tube à vide ou même lampe, est un composant électronique actif, généralement utilisé comme amplificateur de signal. Le tube à vide… … Wikipédia en Français
Tube electronique — Tube électronique Un tube électronique (vacuum tube en américain ou thermionic valve en anglais), également appelé tube à vide ou même lampe, est un composant électronique actif, généralement utilisé comme amplificateur de signal. Le tube à vide… … Wikipédia en Français
Tube à vide — Tube électronique Un tube électronique (vacuum tube en américain ou thermionic valve en anglais), également appelé tube à vide ou même lampe, est un composant électronique actif, généralement utilisé comme amplificateur de signal. Le tube à vide… … Wikipédia en Français
Tube électronique — Un tube électronique (vacuum tube en américain ou thermionic valve en anglais), également appelé tube à vide ou même lampe, est un composant électronique actif, généralement utilisé comme amplificateur de signal. Le tube à vide redresseur ou… … Wikipédia en Français